名称:「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」事件
無効審決取消請求事件
知的財産高等裁判所:平成 25 年(行ケ)10088 号 判決日:平成 26 年 4 月 24 日
判決:請求棄却
特許法第 29 条第 2 項
キーワード：進歩性
［概要］
原告が被告の特許について無効審判を請求したが請求不成立となったため、その取消しを
求めた事案。
［本件特許請求項 1］
基板上に，有機金属気相成長法により，次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長
させるバッファ層を介して，バッファ層よりも高温で原料ガスのキャリアガスとして水素を
用いて成長させた該窒化ガリウム層の上に，
前記キャリアガスを窒素に切替え，原料ガスとして，ガリウム源のガスと，インジウム源
のガスと，窒素源のガスとを用い，同じく有機金属気相成長法により，６００℃より高く，
９００℃以下の成長温度で，インジウム源のガスのインジウムのモル比を，ガリウム１に対
し，１．０以上に調整して，窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする
窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
［引用発明１の内容］
キャリアガスとして，Ｈ ２ またはＮ ２ を用い，III 族の原料ガスとして，ＴＭＡ（トリメチル
アルミニウム），ＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム）を用い，
該原料ガスの流量は，ＴＭＡは１０ｃｃ／ｍｉｎ，ＴＭＧは５ｃｃ／ｍｉｎ，ＴＭＩは２０
ｃｃ／ｍｉｎとし，Ｖ族の原料ガスとして，ＮＨ ３ を用いて結晶成長を行う有機金属気相成長
法であって，
サファイア基板をＮＨ ３ 雰囲気中で１０００℃まで昇温して，１０分間熱処理を施し，サフ
ァイア基板の表面を薄いＡｌＮ膜で覆い，
その後，サファイア基板の温度を９５０℃に下げ，ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａ
Ｎ層にしていくことにより，バッファ層としてのＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層を形成し，
次に，サファイア基板の温度を８００℃まで下げ，該バッファ層の表面に，ｎ型のＧａ ｘ
Ｉｎ １－Ｘ Ｎ層及びｐ型のＧａ ｘ Ｉｎ １－Ｘ Ｎ層からなるｐｎ接合構造を形成することを含む，半
導体発光素子の製造方法。
［一致点］
「 キャリアガスとして，水素または窒素を用い，
基板上に，有機金属気相成長法により，バッファ層を介して成長させた窒化ガリウム層の
上に，
原料ガスとして，ガリウム源のガスと，インジウム源のガスと，窒素源のガスとを用い，
同じく有機金属気相成長法により，６００℃より高く，９００℃以下の成長温度で，インジ
ウム源のガスのインジウムのモル比を，ガリウム１に対し，１．０以上に調整して，窒化イ
ンジウムガリウム半導体を成長させる窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」である点。
［相違点］
・相違点１
本件発明１は，キャリアガスとして水素を用いて「窒化ガリウム層」を成長させ，その後，
キャリアガスを切替えて，キャリアガスとして窒素を用いて「窒化インジウムガリウム半導
体」を成長させるのに対して，甲１発明は，キャリアガスとして水素または窒素を用いるも
のの，「窒化ガリウム層」成長時と「窒化インジウムガリウム半導体」成長時とで，それぞれ
キャリアガスとして水素または窒素のどちらを用いるのか不明である点。
［原告の主張］
(ｲ)このように，当業者が，ＧａＮ層（層２）とＧａＩｎＮ層（層３）の形成のためのキャリ
アガスの選択肢としてＨ ２ とＮ ２ の２つがあることを知れば，①ＧａＮ層（層２）の形成の最
適化のために，キャリアガスとしてＨ ２ を選択して，ＧａＮ層（層２）を形成し，さらに，②
ＧａＩｎＮ層（層３）の形成の最適化のために，キャリアガスとしてＮ ２ を選択して，上記Ｇ
ａＮ層の上にＧａＩｎＮ層（層３）を形成することは，当業者の通常の創作能力の発揮の範
囲内の行為であって，容易に想到し得る。
(3)被告の主張に対して
本件発明１は，「結晶成長行程の途中」でキャリアガスを切り替える発明ではない。本件発
明１は，異なる２つの層を，異なる２つのキャリアガス（及び原料ガス）を用いて別々に成
長させる発明にすぎない。そして，このように，異なる２つの層を成長させる過程で，それ
ぞれの層の成長において適切なキャリアガスを選択することは，当業者の通常の創作能力の
発揮にすぎない。
［裁判所の判断］
前記のとおり，本件発明１は，サファイア基板の上にＩｎＧａＮを成長させることによる
ＩｎＧａＮの結晶性の悪さ等の問題を解決するため，高品質で，かつ優れた結晶性を有する
ＩｎＧａＮを生成することを解決課題とし，有機金属気相成長法において，キャリアガスと
してＨ ２ を用いてＧａＮ層を成長させ，キャリアガスをＮ ２ に切り替えて，当該ＧａＮ層の上
にＩｎＧａＮ層を成長させるとの構成を採用したものである。これに対し，甲１発明は，サ
ファイア基板上にｎ－ＧａＩｎＮ層の結晶を直接成長させると，良質な結晶性を有するｎ－
ＧａＩｎＮ層を得ることができないとの問題を解決するため，発光領域に高品質のｐｎ接合
を形成し，直接遷移を利用した高効率の半導体発光素子の製造方法を提供することを解決課
題とした発明であり，その解決課題は本件発明１の解決課題と共通する点がある。
しかし，甲１文献には，キャリアガスとしてＨ ２ 又はＮ ２ を用いることは開示されているも
のの，Ａｌ ｚ Ｇａ １－ｚ Ｎ層（０≦ｚ≦１）（ＧａＮ層）の形成時とＧａ ｘ Ｉｎ １－ｘ Ｎ層（０≦ｘ
≦１）の形成時とで，キャリアガスを切り替えることについての記載も示唆もない。また，
有機金属気相成長法によって連続して異なる組成による層を形成するに当たり，形成させる
層に応じてキャリアガスを切り替えることと，全ての層の形成を同じキャリアガスを用いて
行うこととは技術思想が異なると解されるところ，優先日当時，有機金属気相成長法によっ
て連続して異なる組成による層を形成するに当たり，形成させる層に応じてキャリアガスを
切り替えるとの公知技術や周知技術があったと認めるに足りる証拠はない。したがって，優
先日当時，形成させる層に応じてキャリアガスを切り替えるとの技術思想はなかったものと
認められる。
そうすると，甲１文献に接した当業者は，Ａｌ ｚ Ｇａ １－ｚ Ｎ層（０≦ｚ≦１）（ＧａＮ層）
形成時とＧａ ｘ Ｉｎ １－ｘ Ｎ層（０≦ｘ≦１）形成時を通して，キャリアガスとしてＨ ２ 又はＮ ２
のどちらか一方を用いることができると理解するものと認められ，ＧａＮ層の形成時とＧａ
ＩｎＮ層の形成時とでキャリアガスを切り替えるとの構成に容易に想到し得るとは認められ
ない。したがって，当業者が，甲１文献の記載から，本件発明１の相違点１に係る構成に容
易に想到し得るとはいえない。